lpcvd多晶硅生产工艺流程    英文回答：    Low-Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) Polysilicon Fabrication Process.    LPCVD is a thin-film deposition technique used to create pol...

只是想多了解下工艺,因为自己不是学这个的,要补课啊 ....是不是可以这么理解:1.PAD oxide：SiO2在LOCOS和STI形成时都被用来当作nitride的衬垫层，如果没有这个SiO2衬垫层作为缓冲之用，LPCVD nitride的高张力会导致wafer产生裂缝甚至破裂，同时也作为NITRIDE ETCH时的STOP LAYER2.SAC oxide：Sacrificial Oxide在...

《LOCOS与STI》你真的知道吗？我们的CMOS制程就是做出NMOS和PMOS，再复杂的电路对我们FAB来讲也就是NMOS PMOS，那我们总不希望这两个MOS之间互相漏电吧，所以MOSFET之间的隔离技术应运而生。以前我给学员们讲课总是会直观的说，我们的MOS为有源器件(因为需要有两个电压才可以工作,一个叫工作电压一个叫控制电压)，那有源器件所在的区域就叫做有源区(Active Area)，那...

简述n阱pmos的工艺流程    英文回答：    The process flow for fabricating an n-channel PMOS (p-type metal-oxide-semiconductor) transistor involves several steps. Here is a brief description of th...

太赫兹器件加工工艺流程    英文回答：    The processing of terahertz devices involves several steps to create functional devices that operate in the terahertz frequency range. Here is a general ove...

光刻工艺流程和步骤The photolithography process is a key step in the fabrication of microelectronic devices. This process involves transferring a pattern from a mask onto a substrate coated with a photosensitiv...

离子注入和快速退火工艺离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程。    注入能量介于1keV到1MeV之间，注入深度平均可达10nm~10um ，离子剂量变动范围从 用于阈值电压调整的1012/cm3到形成绝缘层的1018/cm3。相对于扩散工艺， 离子注入的主要好处在于能更准确地控制杂质掺杂、可重复性和较低的工艺温度。高能的离子由于与衬底中电子和原子核的碰撞而失...

第52卷第10期2023年10月人㊀工㊀晶㊀体㊀学㊀报JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS Vol.52㊀No.10October,2023半导体用大尺寸单晶金刚石衬底制备及加工研究现状刘俊杰1,2，关春龙1，易㊀剑2，宋㊀惠2，江㊀南2，西村一仁2(1.河南工业大学材料科学与工程学院，郑州㊀450001;2.中国科学院宁波材料技术与工程研究所，海洋材料及相关技术重点实验室，...

微电子概论《微电子学概论》1.晶体管是谁发明的？肖克利、巴丁和布拉顿2.集成电路的分类？·按结构分：单片集成电路：它是指电路中所有的元器件都制作在同一块半导体基片上的集成电路在半导体集成电路中最常用的半导体材料是硅，除此之外还有GaAs等混合集成电路：厚膜集成电路薄膜集成电路·按功能分：数字集成电路(Digital IC)：它是指处理数字信号的集成电路，即采用二进制方式进行数字计算和逻辑函数运算的...

PECVD薄膜制备流程PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种常用的薄膜制备技术，通过在气相状态下将化学气体物质在等离子体激发下分解并沉积在衬底表面上，从而形成一层薄膜。PECVD薄膜制备流程包括前处理、沉积和后处理三个主要步骤。下面将详细介绍PECVD薄膜制备的流程。1. 前处理（Pre-treatment）：在进行PECVD薄膜制备...