一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究阮　勇1，叶双莉1，张大成2，任天令1，刘理天1(1.清华大学微电子所微/纳器件与系统实验室，北京　100084;2.北京大学微电子研究院，北京　100871)摘要：提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法。该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2，硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2。由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120∶1～125∶1，因此SiO2层可以抑制在硅2...

刻蚀简介.txt遇事潇洒一点，看世糊涂一点。相亲是经销，恋爱叫直销，抛绣球招亲则为围标。没有准备请不要开始，没有能力请不要承诺。爱情这东西，没得到可能是缺憾，不表白就会有遗憾，可是如果自不量力，就只能抱憾了。    本文由bshxl1贡献    doc文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。    等...

半导体行业专业术语中英文翻译离子注入机  ion implanter LSS理论  Lindhand Scharff and Schiott theory，又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。 沟道效应  channeling effect  射程分布  range distribution  深度分布  depth distr...

摘要层状双氢氧化物（LDHs）具有独特的片层结构，可以同时提供双电层电容和法拉第赝电容两种储能机制，有利于提高电容器的比电容值。本文采用水热合成法，以硝酸钴、硝酸锌、硝酸铝和尿素为原料，制备CoZnAl-LDH。探讨了尿素含量、反应温度、反应时间和Co2+、Zn2+金属离子比例对CoZnAl-LDH结构和形貌的影响，以及碱刻蚀时间对CoZnAl-LDH结构及电化学性能的影响。通过XRD、SEM、T...

mno2薄膜 光刻    英文回答：    MnO2 thin film lithography is a process used in the fabrication of electronic devices and integrated circuits. It involves the use of light to pattern a thin...

蚀刻（ETCH）xposed微影只是将光罩图案转移到光阻上，接下来利用这层光阻为罩幕（mask），以便对光阻下的薄膜或Si片进行选择性蚀刻或离子注入。蚀刻即是利用化学反应或物理作用，把光阻上的图案转移到薄膜上。蚀刻的机制，按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表面」等过程。所以整个蚀刻，包含反应物接近、生成物离开的扩散效应，以及化学反应两部分。整个蚀刻的时间...

离子注入机  ion implanterLSS理论  Lindhand Scharff and Schiott theory  又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。沟道效应  channeling effect射程分布  range distribution深度分布  depth distribution投影射程  projec...

面板制程刻蚀篇】史上最全Dry Etch 分类、工艺基本原理及良率剖析Dry Etch 工序的目的广义而言，所谓的刻蚀技术，是将显影后所产生的光阻图案真实地转印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形。它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除，可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching) 两种技术。湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比( s...

第八章    干刻工艺8.1 Dry Etch工序的目的广义而言，所谓的刻蚀技术，是将显影后所产生的光阻图案忠实地转印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形。它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除，可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching)两种技术。第五章中已经对湿式刻蚀进行了较详细的介绍。湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好...

第八章    干刻工艺8.1 Dry Etch工序的目的广义而言，所谓的刻蚀技术，是将显影后所产生的光阻图案忠实地转印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形。它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除，可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching)两种技术。第五章中已经对湿式刻蚀进行了较详细的介绍。湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好...

【面板制程刻蚀篇】史上最全Dry Etch 分类、工艺基本原理及良率剖析Dry Etch工序的目的广义而言，所谓的刻蚀技术，是将显影后所产生的光阻图案真实地转印到光阻下的材质上，形成由光刻技术定义的图形。它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除，可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching)两种技术。湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比（sel...

一.缩略语中英文对照表A ACF              Anisotropic Conductive Film                  各向异性导电薄膜ADC         ...

第３３卷㊀第２期２０１８年２月㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀C h i n e s e J o u r n a l o fL i q u i dC r y s t a l s a n dD i s p l a y s ㊀㊀㊀㊀㊀V o l ．３３㊀N o ．２㊀F e b ．２０１８㊀㊀收稿日期:２０１７Ｇ０７Ｇ１５；修订日期:２０１７Ｇ１１Ｇ０３．㊀㊀基金项目：京东方T F T 特性研发基金S...

1、填空题  二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。 本题答案：扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★半导体芯片制造工》或《半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工》题库2、填空题  离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。 本题答案：扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《★半导体芯片制造工》或《半导体芯片制造...

附：  缩略语中英文对照表A ACF              Anisotropic Conductive Film                  各向异性导电薄膜ADC       ...