栅极
简述n阱pmos的工艺流程
简述n阱pmos的工艺流程 英文回答： The process flow for fabricating an n-channel PMOS (p-type metal-oxide-semiconductor) transistor involves several steps. Here is a brief description of th...
工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD教程-2
4.1.7栅氧厚度的最优化下面介绍如何使用DECKBUILD中的最优化函数来对栅极氧化厚度进行最优化。假定所测量的栅氧厚度为100Å，栅极氧化过程中的扩散温度和偏压均需要进行调整。为了对参数进行最优化，DECKBUILD最优化函数应按如下方法使用：a.依次点击Main control和Optimizer…选项；调用出如图4.15所示的最优化工具。第一个最优化视窗显示了Setup模式下控制参数的表格...
PMOS——用于电源开关浅析
PMOS——⽤于电源开关浅析前⾔：1. 简介在⽹上查了⼀些关于 PMOS 和 NMOS 哪个更适合⽤于电源开关这种场合，⼤部分都是从⼯艺，导通电阻 Rds 来解释，但随着半导体⼯艺的进步，现今的 PMOS 与 NMOS 之间差距已经不⼤了，从 SOT-23 的封装来看，两者的⼤⼩也是差不多的。个⼈觉得，PMOS ⽤于电源开关更多是为了⽅便控制。2. 应⽤2.1 上电控制：软件控制系统上电、下电、不...
