等离子体气相沉积法
等离子体气相沉积法（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）是一种使用等离子体辅助的化学气相沉积法。该方法利用高能的等离子体活性物种来促进反应，并使气相中的前驱物分解和反应。这种方法通常用于制备薄膜材料，如硅薄膜、氮化硅薄膜等。
在等离子体气相沉积法中，首先将气体前驱物引入反应室中，并在较低的压力下进行放电，产生等离子体。等离子体活性物种与前驱物发生反应，从而在基底表面上沉积出薄膜。这种方法具有反应速度快、温度低等优点，能够实现在室温或较低的温度下进行沉积，从而适用于对温度敏感的材料。
deposition
等离子体气相沉积法具有广泛的应用领域，包括半导体器件制造、光学涂层、防腐蚀涂层、生物医学器件等。它不仅可以制备单一的材料薄膜，还可以通过改变前驱物的组合和反应条件来制备复合薄膜，从而实现多种性能的调控。