沟道
TFT-LCD产业中GOA单元不良的研究
TFT-LCD产业中GOA单元不良的研究张小祥;颉芳霞;刘正;郭总杰;袁剑峰;邵喜斌【摘 要】通过对TFT-LCD 制造过程中GOA单元不良原因的研究,提出了改善 GOA单元不良的方法.分析表明静电放电(ESD)的发生在于电容瞬间释放的电流过大,导致过细的金属线熔化；沟道桥接和开裂的发生在于显影效应,显影方向以及图案密度,导致局部区域沟道光刻胶厚度偏厚和偏薄.采用静电分散释放的连线设计,ESD的发...
AD和 Multisim元器件符号对照表
元器件在产品和软件中的汇总名称292模块AD10软件Multisim14软件电源接地接线端子电阻无极性电容电解电容二极管肖基特二极管发光二极管稳压二极管开关二极管三极管（NPN）三极管（PNP）达林顿（NPN）达林顿（PNP）共阴数码管（led）共阳数码管（led）“米”字数码管电位器电感整流桥堆结型场效应管N结型场效应管P绝缘栅N沟道增强型场效应管绝缘栅N沟道耗尽型场效应管绝缘栅P沟道增强型场效...
multisim元件对照表
Prepared on 24 November 2020multisim元件对照表Multisim元件库分类介绍电子仿真软件“”的元...
微电子英语词典
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active compone...
微电子专业英语
微电子学专业词汇Abe absorb in 集中精力做某事access control list 访问控制表active attack 主动攻击activeX control ActiveX控件advanced encryption standard AES,高级加密标准algorithm 算法alteration of message 改变消息application level attack 应...
HV的结构与原理–DDDMOSorLDMOS?
HV的结构与原理–DDDMOSorLDMOS？从基础的器件讲起吧，前面的器件部分都是讲的普通的LV器件，结构比较简单源(S)、栅(G)、漏(D)和衬底(B)四个端子，配合LDD和Spacer防止短沟道效应，差不多就可以讲完了。然而，这些普通的器件只能撑比较低的电压，比如1.8V/3.3V/5V(取决于你的technology-node)。而到了高电压驱动的时候，我们的结构必须要有所改变才能满足高压...
半导体工艺中的英语词汇..
半导体工艺中的英语词汇..AAbrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Active region 有源区Active co...
