IGBT测量
l 、判断极性首先将万用表拨在 R×1K 。挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，
则判断此极为栅极（ G ）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接
的为集电极（ C ) ：黑表笔接的为发射极（ E ）。
2 、判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ) ，红表笔接 IGBT 的发时极 ( E ) ，此时万用表的指针在零位。用手指
同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ) ，这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。然后再用手指
同时触及一下栅极（ G ）和发射极（ E ) ，这时 IGBT 被阻断，万用表的指针 回零。此时即可判断 IGBT 是好的。
3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测 IGBT 。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在 R×IOK挡，因 R×IKQ 档以下各档万用表内部电
池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断 IGBT 的好坏。此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管 ( P 一 MOSFET ）的好坏。
粗测IGBT放大性能可以用下面方法
用指针万用表X10挡，像用筷子的方法持表棒。黑表棒接C，红表棒接E，左手两手指同时触碰G-E两极。万用表指示为无穷大，说明IGBT截止正常，手
指离开能保持读数为正常，然后再同时触碰G-C两极，万用表向阻值小的方向偏摆，摆幅大好，手指离开度数能保持的为正常，如果不能保持的就是坏
的
如果手指太干燥，可以搞点口水弄湿润会爽些，呵呵
PNP型的反接表棒，方法一样.MOS管也可以类似方法测量的
                快捷测量
  用指针万用表简单的测量,先直接量一下C,E间是否导通,在C,E,E,C都通,既坏的.在CE,不通的情况下,进行下步骤.
先在IGBT的G脚和E脚加正向电压,{即万用表打在×10挡,黑表笔接G,红表笔接E},只要稍微接通一下,
然后量C,E间的导通电阻,很小,
再在G,E间加反向电压(红表笔接G,黑表笔接E),然后量C,E间的导通电阻,无穷大.这样就是好的.
检测IGBT模块的的办法以两单元为例:用模拟万用表测量 静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大;
表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若
指针万用表的使用方法视频教程
符合上述情况表明此IGBT的两个 单元没有明显的故障. 动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端
子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400殴,把表笔对调也有大约300-400殴的电阻表明此IGBT单元是完好的. 用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若
符合上述的情况表明该IGBT也是完好的.将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D），红表笔接IGBT 的源极（S），此时万用表的指针指
在无穷处。用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值 较小的方向，并能站住指示在某一位置。然
后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT 被阻 断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。 注意：若进第二次测
量时，应短接一下源极（S）和栅极（G）。 任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K
Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。 判断IGBT的方法1、判断极性首先将万用表拨在R×
1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再
用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极
（E）。2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同
时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及
一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断
IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏
。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。