Multisim12.0元器件模型参数详解
电阻模型参数
R 电阻倍率因子
TC1 线性温度系数
TC2 二次温度系数
电容模型参数
C 电容倍率因子
VC1 线性电压系数
VC2 二次电压系数
TC1 线性温度系数
TC2 二次温度系数
电感模型参数
L 电感倍率因子
IL1 线性电流系数
IL2 二次电流系数
TC1 线性温度系数
TC2 二次温度系数
二极管模型参数
IS 饱和电流
RS 寄生串联电阻
N 发射系数
TT 渡越时间
CJO 零偏压PN结电容
VJ PN结自建电势
M PN结剃度因子
EG 禁带宽度
XT1 IS的温度指数
FC 正偏耗尽层电容系数
BV 反向击穿电压（漆点电压）IBV 反向击穿电流（漆点电流）KF 闪烁躁声系数
AF 闪烁躁声指数
双极晶体管（三极管）
IS 传输饱和电流
EG 禁带宽度
XTI（PT）IS的温度效应指数BF 正向电流放大系数
NF 正向电流发射系数
VAF（VA）正向欧拉电压
IKF （IK）正向漆点电流
ISE（C2）B-E漏饱和电流
NE B-E漏饱和电流
BR 反向电流放大系数
NR 反向电流发射系数
VAR（VB）正想欧拉电压
IKR 反向漆点电流
ISC C4 B-C 漏饱和电流
NC B-C漏发射系数
RB 零偏压基极电阻
IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻
RC 集电极电阻
CJE 零偏发射结PN结电容
VJE PE 发射结内建电势
MJE ME 集电结剃度因子
CJC 零偏衬底结PN结电容
VJC PC 集电结内建电势
MJC MC 集电结剃度因子
XCJC Cbe 接至内部Rb的内部
CJS CCS 零偏衬底结PN结电容
VJS PS 衬底结构PN结电容
MJS MS 衬底结剃度因子
FC 正偏势垒电容系数
TF 正向渡越时间
XTF TF随偏置变化的系数
VTF TF随VBC变化的电压参数
ITF 影响TF的大电流参数
PTF 在F=1/（2派TF）Hz时超前相移TR 反向渡越时间
XTB BF和BR的温度系数
KF I/F躁声系数
AF I/F躁声指数
Is=14.34f 反向饱和电流。
Xti=3 饱和电流的温度指数
Eg=1.11 硅的带隙能量
Vaf=74.03 正向欧拉电压
Bf=255.9 正向电流放大系数
Ne=1.307 B--E极间的泄漏饱和发射系数
+ Ise=14.34f B--E极间的泄漏饱和电流
Ikf=.2847 正向BETA大电流时的滑动拐点Xtb=1.5 电流放大系数的温度系数
Br=6.092 理想反向电流放大系数
Nc=2 B--C间的泄漏发射系数
Isc=0
Ikr=0 反向BETA（R）大电流时的滑动拐点Rc=1 集电极电阻
+ Cjc=7.306p B-E结零偏压时的耗尽电容。Mjc=.3416 B-C结指数因子
Vjc=.75 B-C结内建电势
Fc=.5 正向偏压时的耗尽电容系数
Cje=22.01p B-E结零偏压时的耗尽电容
Mje=.377 B——E结指数因子
Vje=.75 B-E结内建电势
+ Tr=46.91n 反向渡越时间
Tf=411.1p 正向渡越时间
Itf=.6 正向渡越时间随VBE变化的参数multisim元件对照表
Vtf=1.7
Xtf=3 Rb=10) 正向渡越时间随偏置变化的参数
三极管参数中文字符号英文对照
Pcm 集电极最大耗散功率
Icm 集电极最大允许电流
V(br)cbo 发射极开路时，集电极与基极间反向击穿电压
V(br)ceo 基极开路时，集电极与发射极间反向击穿电压
V(br)ebo 集电极开路时，发射极与基极间反向击穿电压Icbo 发射极开路时，集电极与基极间反向漏电流
Iceo 基极开路时，集电极与发射极间反向漏电流
Iebo 集电极开路时，发射极与基极间反向漏电流
Vce(sat) 基极与发射极间的正向饱和压降
Vbe(sat) 集电极与发射极间的反向饱和压降
hFE 共发射接法时静态电流放大系数（简称放大数）
Ft 特征频率（共发射极电流放大系数下降到1时的频率）Cob 共基极输出电容